2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

8 プラズマエレクトロニクス » 8.3 プラズマ成膜・表面処理

[7p-A402-7~23] 8.3 プラズマ成膜・表面処理

2017年9月7日(木) 15:00 〜 19:30 A402 (402+403)

井上 泰志(千葉工大)、大津 康徳(佐賀大)

19:00 〜 19:15

[7p-A402-22] 水蒸気スパッタ法におけるターゲット状態の制御と酸化ニッケル薄膜の作製

〇(M1)横岩 佑城1、阿部 良夫1、川村 みどり1、金 敬鎬1、木場 隆之1 (1.北見工大工)

キーワード:酸化ニッケル薄膜、スパッタリング、エレクトロクロミック

反応性スパッタ法は、金属ターゲットを反応性ガス中でスパッタし、化合物薄膜を形成する方法である。この方法では、金属ターゲットが反応ガスのプラズマに曝されるために、その表面に化合物層が形成される化合物ターゲットモードとなるのが一般的である。本研究では、反応ガスに水蒸気を用いて、酸化ニッケル薄膜を作製し、その時のターゲット状態について検討した。