[7p-A412-1~12] 6.2 カーボン系薄膜

△ [7p-A412-1] 立方晶窒化ホウ素の任意指数面単結晶基板の作製と表面反応の観察

〇(DC)田村 貴大¹、髙見 拓哉¹、柳瀬 隆²、長浜 太郎²、島田 敏宏² (1.北大院総化、2.北大工)

キーワード：立方晶窒化ホウ素、マイクロ波プラズマCVD、プラズマエッチング

N2プラズマエッチングによりcBN(100)面には平行なステップが現れるが、(111)面には三角形のエッチピットが現れた。高指数面について特異な構造が観察された。cBN粒子を基板としてCH4+H2ガスによりダイヤモンドのCVD合成を行うとcBN表面に多結晶ダイヤモンドが形成されたが、平坦化した高指数面にはほとんどダイヤモンドの成長が起こらず、強い面指数依存性があることがわかった。