[7p-A412-1~12] 6.2 カーボン系薄膜

[7p-A412-11] HMDS導入CVD樟脳カーボン薄膜のXPS分析

〇羽坂 奨馬¹、西村 謙汰¹、渋谷 翼¹、石川 博康^1,2 (1.芝浦工大、2.SIT GI研究センター)

キーワード：アモルファスカーボン、樟脳、ヘキサメチルジシラザン

横型管状炉2台を用いた常圧熱CVD装置により石英基板およびC面サファイア上にa-CCの堆積を行った。Si-C結合による広バンドギャップ化を期待してヘキサメチルジシラザン (HMDS: C₆H₁₉NSi₂) を導入してa-CC薄膜を作製したところ、広バンドギャップ化を達成することができたが、ラマン分光測定よりSi-C結合以外の寄与が示唆された。今回、HMDS供給量を変化させてHMDS導入a-CC薄膜を作製し、X線光電子分光分析装置 (XPS) により薄膜の化学結合分析を行い、広バンドギャップ化の起源を調査した結果について報告する。