[7p-PB3-1~6] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

△ [7p-PB3-5] 表面近傍の活性ドーパント濃度の熱処理依存性

〇比嘉 友大¹、武田 さくら¹、江波戸 達也¹、米田 允俊¹、藤中 秋輔¹、森田 一帆¹、森本 夏輝¹、Ang Kevin²、Tan Xin¹、大門 寛¹、筒井 一生³ (1.奈良先端科学技術大学、2.名古屋工業大学、3.東京工業大学)

キーワード：活性ドーパント、サブバンド、イオン打ち込み

半導体極浅領域の活性ドーパント濃度の測定は，デバイスの更なる発展に不可欠である。私はサブバンドの準位間隔の測定から活性ドーパント濃度を逆算する手法を開発し，実際にイオン打ち込みが行われたサンプルに対して適用した。その結果，極浅領域に高濃度の分布を持つ活性ドーパントが確認され，熱処理に依存して，分布に変化が生じたことが明らかになった。本講演では新手法の詳細およびその妥当性について言及する。