[8a-A414-1~8] 13.9 光物性・発光デバイス

[8a-A414-7] Ｓｉ基板上におけるEr_xY_6-xWO₁₂(x=6)薄膜のＭＢＥ成長

〇尾身 博雄^1,2、俵 毅彦^1,2、山本 秀樹¹ (1.NTT物性基礎研、2.NTTフォトニクスセンタ)

キーワード：エルビウム、分子線エピタキシャル成長

前回我々はこのYSO単結晶をしのぐ良質な量子光学結晶を開発することを目的として、Y-Si-O系に含まれる元素Siをそれよりも小さな核磁気モーメントをもつ元素Wで置き換えたY-W-O系に注目し、その中でも特に電子スピンを持たないW⁶⁺イオンを含むY₆WO₁₂(立方晶)結晶をSi基板上にMBE成長することを試みた。今回はこの非磁性Y₆WO₁₂薄膜中にErを添加することを目指し、その第一段階として、Er₆WO₁₂をSi(111)上にMBE成長することを試みた。