[8a-C18-1~12] 13.5 デバイス／集積化技術

[8a-C18-9] メタルS/D型 Ge n-MOSFET のチャネル移動度の基板濃度依存性

〇坂口 大成¹、秋山 健太郎¹、山本 圭介¹、王 冬¹、中島 寛² (1.九大・大学院総理工、2.九大・GIC)

キーワード：半導体