[8a-PA4-1~31] 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[8a-PA4-22] 低温In₂O₃バッファ層を用いたa-Al₂O₃基板上In₂O₃のミストCVD成長

〇(M2)小林 拓也¹、山口 智広¹、尾沼 猛義¹、本田 徹¹ (1.工学院大学)

キーワード：酸化インジウム、ミストCVD法