[8a-PA4-1~31] 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

△ [8a-PA4-25] 周期的NiOナノ構造バッファ上におけるβ-Ga₂O₃薄膜のレーザー励起室温固相エピタキシー

〇森田 公之¹、中村 稀星¹、土嶺 信男²、金子 智^3,1、松田 晃史¹、吉本 護¹ (1.東工大物質理工、2.㈱豊島製作所、3.神奈川県産総研)

キーワード：β-Ga2O3、エピタキシャル成長、ナノ構造

我々のグループではこれまでにエピタキシャル薄膜の表面平坦性や界面急峻性の改善を狙い、酸化ニッケル（NiO）バッファ層による格子ミスマッチの低減と室温エキシマレーザーアニーリング（ELA）によるβ-Ga₂O₃エピタキシャル薄膜の作製などを報告してきた。NiOナノ周期構造上おけるβ-Ga₂O₃の固相エピタキシー、β-Ga₂O₃エピタキシャルナノ材料の結晶性や配向性などの構造や、電子・光学特性などに及ぼす影響について検討した。