[8a-PB4-1~20] 8.3 プラズマ成膜・表面処理

[8a-PB4-17] 大気圧ペン型プラズマによるDLCの局所成膜 Ⅲ

〇吉木 宏之¹、丸藤 好恭^1,2 (1.鶴岡高専、2.キャノン電子)

キーワード：大気圧マイクロプラズマ、化学気相成長、ダイヤモンド状炭素膜

内径1mmの石英管内に設けた金属パイプ電極をRF(13.56MHz)励起して大気圧非平衡プラズマ流を生成するペン型プラズマ源を用いてCH₄/H₂/HeプラズマでSi基板にDLC局所成膜を試みている。CH₄/H₂/He比率、RF電極‐基板間距離d、RF電力、基板温度がDLC膜質に及ぼす影響を明かにする。ラマン分光分析から1520 cm^-1にGバンド、1350 cm^-1にDバンドを確認した。また、d=1mm、H₂比率27%、基板温度200℃でインデンテーション硬さH_IT17GPa以上のDLC膜を得た。膜厚は0.3-0.5μm、表面は平滑であった。