[8a-PB4-1~20] 8.3 Plasma deposition of thin film and surface treatment

[8a-PB4-16] Formation of a-C:F by plasma irradiation on the PFC condensation layer and PTFE surface modification

〇Tetsuya Sato¹, Kouta Yamai¹, Kyouhei Morikawa¹, Haruka Soga¹, Chiaya Yamamoto¹, Junji Yamanaka¹, Kiyokazu Nakagawa¹ (1.Univ. of Yamanashi)

Keywords:PTFE, amorphous carbon, Perfluorocarbon

PTFEの接着性向上のために、低温下で表面改質を行う方法について検討したので報告する。30Kに冷却したPTFE 基板上に、水素の直流放電を15分間行い、表面改質を行った。その後、c-C₄F₈を蒸着しながら、水素 の直流放電により生成した低速電子 およびHを同時照射することによりa-C:Fを成膜した。XPSおよびTEM観察から、a-C:FはPTFEと化学結合を形成し密着性が高いことがわかった。