[8p-A204-1~10] Gallium Oxide : Novel Wide Band-Gap Oxide Material for Future Generation

[8p-A204-2] β-Ga₂O₃ Crystal Growth by Vertical Bridgeman Method

〇Keigo Hoshikawa¹ (1.Shinshu Univ.)

Keywords:Ga2O3 crystal, Vertical Bridgman method, Melt growth

高耐圧、低電力損失のパワーデバイス実現を目指して、β型酸化ガリウム（β-Ga₂O₃）ワイドバンドギャップ半導体の研究開発が活発化している。我々は、β-Ga₂O₃結晶製造に関して、Vertical Bridgman(VB)法を取り上げ、結晶育成、特性評価・解析の研究を進めている。本発表では、従来のβ-Ga₂O₃結晶成長技術を概観し、VB法提案に至った経緯を説明する。またVB法結晶育成技術の現状を紹介し、今後の課題を考察する。