[8p-C18-1~8] 13.5 デバイス／集積化技術

[8p-C18-5] La₂O₃を積層したCeO_x/SiO₂の抵抗変化メモリ動作

〇水谷 一翔¹、宗田 伊理也¹、星井 拓也¹、若林 整¹、筒井 一生²、岩井 洋²、角嶋 邦之¹ (1.東工大、2.東工大研究院)

キーワード：半導体、抵抗変化メモリ