[8p-PA1-1~27] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[8p-PA1-10] CuNiSi酸化物を用いた抵抗変化型不揮発性メモリ

〇仲山 広記¹、塚本 貴広¹、加藤 格²、雑賀 章浩²、須田 良幸¹ (1.東京農工大院工、2.東京高専)

キーワード：抵抗変化型不揮発性メモリ