09:30 〜 11:30 [16a-P4-14] アンドープGaN上のMOSFETの特性 〇上野 勝典1、高島 信也1、稲本 拓朗1、松山 秀昭1、江戸 雅晴1、高橋 言緒3、清水 三聡3、中川 清和2 (1.富士電機(株)、2.山梨大、3.産総研)