09:00 〜 09:15 △ [15a-F201-1] 炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴(1)-TCADによる注入層の軽元素捕獲・拡散挙動の理論解析- 〇奥山 亮輔1、重松 理史1、廣瀬 諒1、柾田 亜由美1、門野 武1、古賀 祥泰1、奥田 秀彦1、栗田 一成1 (1.SUMCO)