14:30 〜 14:45 △ [17p-301-3] 4H-SiC C面上MOS界面特性のウェット酸化による酸化膜成長量依存性にみられる界面欠陥減少過程と膜中欠陥変化過程の速度的差異 〇梶房 裕之1、喜多 浩之1 (1.東大院工)