15:30 〜 15:45 △ [17p-301-6] 熱酸化極限条件で作製した4H-SiC(0001) MOSFET の電気特性評価 〇勝 義仁1、辻 英徳1,2、アイエレ キディスト モーゲス1、染谷 満1,3、細井 卓治1、志村 考功1、渡部 平司1 (1.阪大院工、2.富士電機、3.産総研)