17:30 〜 17:45 [16p-B6-16] 析出法によるSiO2上へのグラフェン形成 〇村上 俊也1、磯林 厚伸1、井福 亮太2、松本 貴士2、梶田 明広1 (1.(株)東芝、2.東京エレクトロン(株))