18:15 〜 18:30 [16p-412-20] nMOSFET応用に向けた窒化ハフニウムの硫化による二硫化ハフニウム膜の作製 〇篠原 健朗1、宗田 伊理也1、角嶋 邦之1、筒井 一生1、若林 整1 (1.東京工業大学)