Large magnetoresistance effect in magnetic tunnel junctions with a Cu(In0.8Ga0.2)Se2 barrier with a low resistance-area product

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一般セッション(口頭講演)

10 スピントロニクス・マグネティクス » 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

[14a-501-1~11] 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

2017年3月14日(火) 09:00 〜 12:00 501 (501)

10:45 〜 11:00

〇向山広記¹、増田啓介¹、葛西伸哉^1,2、高橋有紀子¹、Cheng Pohang^1,3、Ikhtiar Ikhtiar^1,3、三浦良雄^1,4、大久保忠勝¹、三谷誠司^1,3、宝野和博^1,3 (1.物質・材料研究機構、2.理化学研究所、3.筑波大学、4.京都工芸大学)

キーワード：Magnetoresistance effect, Semiconsuctor, Heusler alloy