[14a-502-1~10] 21.1 Joint Session K

△ [14a-502-4] Orientation control of β-Ga₂O₃ epitaxial thin films formed by room-temperature laser annealing

〇Kisho Nakamura¹, Hiroki Uchida¹, Nobuo Tuchimine², Satoru Kaneko^3,1, Akifumi Matsuda¹, Mamoru Yoshimoto¹ (1.Tokyo Inst. of Tech, 2.TOSHIMA Manu. LTD, 3.Kanagawa Ind. Tech. Center)

Keywords:Laser annealing, Solid phase crystalization, Epitaxial thin films

我々はこれまでに、β-Ga₂O₃に対してバッファ層の導入、エキシマレーザーアニーリング(ELA)などの手法により、表面平坦な機能性酸化物エピタキシャル薄膜が得られる室温プロセスを見出している。一方で、この室温レーザープロセスでは、ワイドギャップ半導体固相エピタキシーのメカニズム検討と解明が課題となっている。本研究では室温ELAによる核形成と結晶成長に関する知見を得ることを目的とした。