[14a-502-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [14a-502-4] 室温レーザーアニールにより作製されたβ-Ga₂O₃エピタキシャル薄膜の配向性制御

〇中村 稀星¹、内田 啓貴¹、土嶺 信男²、金子 智^3,1、松田 晃史¹、吉本 護¹ (1.東工大、2.(株)豊島製作所、3.神奈川県産技セ)

キーワード：レーザーアニール、固相結晶化、エピタキシャル薄膜

我々はこれまでに、β-Ga₂O₃に対してバッファ層の導入、エキシマレーザーアニーリング(ELA)などの手法により、表面平坦な機能性酸化物エピタキシャル薄膜が得られる室温プロセスを見出している。一方で、この室温レーザープロセスでは、ワイドギャップ半導体固相エピタキシーのメカニズム検討と解明が課題となっている。本研究では室温ELAによる核形成と結晶成長に関する知見を得ることを目的とした。