2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.7 レーザープロセシング

[14a-512-1~11] 3.7 レーザープロセシング

2017年3月14日(火) 09:00 〜 12:15 512 (511+512)

中村 貴宏(東北大)、佐藤 雄二(阪大)

11:30 〜 11:45

[14a-512-9] AlCl3水溶液中でのXeFエキシマレーザ照射による低温ポリシリコンへのAlドーピング

諏訪 輝1,2、田中 希1、中村 大輔1、佐道 泰造1、池上 浩1,2 (1.九州大シス情、2.九州大ギガフォトンNextGLP共同部門)

キーワード:液中レーザドーピング、エキシマレーザアニール、低温ポリシリコン

低温ポリシリコンをAlCl3水溶液中でXeFエキシマレーザを照射し、低温ポリシリコンへのAlドーピングの検討を行った。低温ポリシリコンはガラス基板上に成膜したアモルファスシリコンをXeFエキシマレーザアニーリングにより作製した。AlCl3水溶液中で低温ポリシリコン膜にXeFレーザ照射した基板を4探針測定を行った。その結果、抵抗率が約1.0 Ω・cmまで低下したことを確認した。