[14p-211-1~17] 3.9 テラヘルツ全般

[14p-211-7] GaSb/InAsヘテロ接合を用いたテラヘルツ波の放射強度増強の検討

〇木下 耀平¹、巽 雅史¹、小山 政俊¹、前元 利彦¹、佐々 誠彦¹、濱内 翔太²、川山 巌²、斗内 政吉² (1.大阪工大　ナノ材研、2.阪大　レーザー研)

キーワード：テラヘルツ、GaSb/InAs、ヘテロ接合

我々は，これまでに分子線エピタキシー法を用いて半絶縁性GaAs基板上にInAs薄膜を成長し，InAs層からのTHz放射強度を調べ，薄膜からバルク基板より強い放射が得られることを報告した．さらに，高濃度にドープしたプラズマ反射層を形成することでp-InAs基板を超える高強度な放射が得られることを報告した．今回我々はTHz波のさらなる高強度化を目指すため，GaSb/InAsヘテロ接合による強度増大の検討を行った．