[14p-211-1~17] 3.9 テラヘルツ全般

[14p-211-6] 深い不純物準位によりキャリヤ制御する波長25-50μm帯IV-VI族半導体量子カスケードレーザの提案

〇石田 明広¹、渡邉 祥司¹、中嶋 聖介¹ (1.静大院工)

キーワード：IV-VI族半導体、量子カスケードレーザ、テラヘルツ

波長3μmの中赤外域から波長200μmの遠赤外にわたる量子カスケードレーザの研究が国内外の研究機関、企業等で行なわれている。波長25～50μmの波長域はGaAsやInGaAs等のIII-V族半導体のLOフォノンとTOフォノン周波数に挟まれたレストストラーレンバンドに対応し、この波長域の量子カスケードレーザは得られていない。最近、高いフォノン周波数を持つGaN系量子カスケードレーザにより、この波長域のレーザが研究されてきている。本講演では、逆に、低いフォノン周波数を持つIV-VI族半導体による量子カスケードレーザを提案する。量子カスケードレーザの作製には、低閾値動作のためキャリヤ濃度を抑えたレーザ設計が必要であり、PbSnTe中に深い不純物準位を形成するIn添加することにより、キャリヤ制御を行なう。