[14p-211-1~17] 3.9 Terahertz technologies

[14p-211-7] Study for enhanced THz radiation using GaSb/InAs heterostructures

〇Yohei Kinoshita¹, Masashi Tatsumi¹, Masatoshi Koyama¹, Toshihiko Maemoto¹, Shigehiko Sasa¹, Shota Hamauchi², Iwao Kawayama², Masayoshi Tonouchi² (1.Osaka Inst., 2.Osaka Univ.)

Keywords:THz, GaSb/InAs, heterostructures

我々は，これまでに分子線エピタキシー法を用いて半絶縁性GaAs基板上にInAs薄膜を成長し，InAs層からのTHz放射強度を調べ，薄膜からバルク基板より強い放射が得られることを報告した．さらに，高濃度にドープしたプラズマ反射層を形成することでp-InAs基板を超える高強度な放射が得られることを報告した．今回我々はTHz波のさらなる高強度化を目指すため，GaSb/InAsヘテロ接合による強度増大の検討を行った．