[14p-315-1~15] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14p-315-5] 自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価 (4)
－－金属仕事関数依存性－－

〇今立 宏美¹、三島 友義²、塩島 謙次¹ (1.福井大学院工、2.法政大)

キーワード：m面n-GaN、ショットキー接触、金属仕事関数

我々は、GaN結晶の劈開性を利用して得た清浄なn-GaN自立基板の非極性面(m面)に、6種類の金属(Ag, Ti, Cr, Au, Pd, Ni)を用いてショットキー電極を形成し、I-V特性の金属仕事関数(f_m)依存性を評価した。I-V特性からS = 0.468の値が得られ、​清浄なm面n-GaNは、c面と同程度に金属仕事関数依存性が大きいことが判明した。