[14p-412-1~18] 6.2 カーボン系薄膜

△ [14p-412-6] ダイヤモンドSchottky-pn diodeの高温下での順方向電気特性評価

〇(M1)小澤 直人^1,2、牧野 俊晴²、加藤 宙光²、小倉 政彦²、大串 秀世²、山崎 聡^1,2 (1.筑波大数理、2.産総研)

キーワード：パワーデバイス、ダイヤモンド

ダイヤモンドは、次世代パワーエレクトロニクス分野での応用が期待されている。Schottky-pn diode（SPND）は、低オン抵抗、高耐圧、高速スイッチングを実現できるダイオード構造として提案された。本研究では、SPNDのキャリアの伝導機構を明らかにすることを目標として、高い温度領域での電気特性の評価を行った。650Kにおいてもダイオード動作をし、温度上昇に伴い立ち上がり電圧が小さくなることを確認した。