[14p-502-1~15] 21.1 Joint Session K

△ [14p-502-14] Reaction mechanism analysis for fabricating high quality metal oxide thin film by mist CVD (Ⅰ)

〇(B)Misaki Nishi¹, Yuta Suwa¹, Liu Li¹, Phimolphan Rutthongja¹, Dang Gian², Toshiyuki Kawaharamura^1,2 (1.Sys.Eng.Kochi Univ.of Tech, 2.Res.Inst.Kochi Univ.of Tech)

Keywords:mist CVD, metal oxide thin film

ミストCVD法による高品質な金属酸化物薄膜作製を目的として、ZnOを対象に反応メカニズムの解析を行った。成膜条件に伴う結晶性の変化を調べたところ、高品質薄膜作製の指標が確認されたので報告する。