[14p-F201-1~14] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[14p-F201-10] 陽電子消滅法によるn型イオン注入Siの熱処理後残留空孔に関する考察

〇河合 宏樹¹、東 悠介¹、中崎 靖¹、石原 貴光¹ (1.東芝研開セ)

キーワード：シリコン空孔、陽電子消滅法、イオン注入