[14p-F206-1~13] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

△ [14p-F206-10] 温度分布と不純物濃度分布が熱電特性に与える影響の考察

〇(B)島 圭佑¹、富田 基裕^1,2、鎌倉 良成³、渡邉 孝信¹ (1.早大理工、2.学振PD、3.阪大工)

キーワード：熱電発電、デバイスシミュレーション

不純物濃度の分布が不均一なn型Si半導体モデルに対してデバイスシミュレーションを行い、熱電特性を調査した。その結果、内部の温度勾配に対して適切な不純物濃度分布をとることで、デバイスのパワーファクターが向上する可能性がしめされた。また、その原因について使用した物理モデルから理論的に考察し、適切な不純物濃度分布とパワーファクターの値を予想した。