2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

22 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」 » 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[14p-F206-1~13] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

2017年3月14日(火) 14:00 〜 17:45 F206 (F206)

粟野 祐二(慶大)、馬場 寿夫(JST)、宮崎 康次(九工大)

17:00 〜 17:15

[14p-F206-11] SOI層のゼーベック係数に与える試料サイズの効果

〇(M1C)荒巻 豪士1、鈴木 悠平1、鎌倉 良成2、渡邉 孝信3、池田 浩也1 (1.静岡大、2.大阪大、3.早稲田大)

キーワード:ゼーベック係数

BドープしたSi-on-insulator(SOI)層をパターニングして,100 nm〜5 µmの幅を持つ5種類のp型SiNW列を形成し、試料サイズがゼーベック係数に与える効果を調べた。その結果、予想に反して、ワイヤの断面積が小さくなるに従って,ゼーベック係数が大きくなった。現在、その原因を検討している。