The 64th JSAP Spring Meeting, 2017

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Oral presentation

22 Joint Session M » 22.1 Joint Session M

[14p-F206-1~13] 22.1 Joint Session M

Tue. Mar 14, 2017 2:00 PM - 5:45 PM F206 (F206)

Yuji Awano(Keio Univ.), Toshio Baba(JST), Koji Miyazaki(Kyutech)

4:45 PM - 5:00 PM

[14p-F206-10] Analysis of Thermoelectric Property Dependence on Temprature and Dopant Profile

〇(B)Keisuke Shima1, Motohiro Tomita1,2, Yoshinari Kamakura3, Takanobu Watanabe1 (1.Waseda Univ., 2.JSPS Res. Fellow PD, 3.Osaka Univ.)

Keywords:thermoelectric power generation, device simulation

不純物濃度の分布が不均一なn型Si半導体モデルに対してデバイスシミュレーションを行い、熱電特性を調査した。その結果、内部の温度勾配に対して適切な不純物濃度分布をとることで、デバイスのパワーファクターが向上する可能性がしめされた。また、その原因について使用した物理モデルから理論的に考察し、適切な不純物濃度分布とパワーファクターの値を予想した。