[15a-304-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[15a-304-6] ひずみセンサ付CMOSモノリシック集積MEMSプローブカードの基本動作

〇(M2)瀬戸口 良太¹、三田 吉郎¹ (1.東京大工)

キーワード：MEMS、集積化MEMS、CMOS

LSIのウエハテストにおいて使用されるプローブカードはLSIの微細化に伴いMEMS加工技術によって作製された製品が広く用いられている。著者らは更にCMOS処理回路を融合することでプローブカードに新たな機能を付与する研究を行っている。本講演ではひずみゲージと増幅回路で構成されるひずみセンサを標準CMOSプロセスにて実装した基板上に、MEMSカンチレバーを後加工により作製したデバイスの機械的な負荷に対するセンサ出力の測定結果を発表し、ウエハテスト時にかかる機械的負荷を観測できるプローブカードの基本動作を実証する。