[15a-315-1~10] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[15a-315-5] p⁺薄層を用いた自立GaN基板上JBSダイオード

〇(M1)林 賢太郎¹、柘植 博史¹、太田 博¹、堀切 文正²、成田 好伸²、吉田 丈洋²、中村 徹¹、三島 友義¹ (1.法政大学、2.サイオクス)

キーワード：GaN、JBSダイオード

電極コンタクト層として用いる数十nmの薄いp+層を直接n-GaN層上に成長した構造で良好なp-n接合ダイオードとして機能したため、表面に浅いトレンチを形成することで、順方向動作時の低電圧動作として期待されるジャンクションバリアショットキーダイオードの試作を行った。また、裏面電極の一部を部分的に除去することで順方向電流注入時の発光パターンを裏面から観察しp-n接合領域の確認をした。