10:00 〜 10:15 [15a-315-5] p<sup>+</sup>薄層を用いた自立GaN基板上JBSダイオード 〇(M1)林 賢太郎1、柘植 博史1、太田 博1、堀切 文正2、成田 好伸2、吉田 丈洋2、中村 徹1、三島 友義1 (1.法政大学、2.サイオクス)