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△ [15p-311-11] V溝パターン基板上の擬VLS法によるIn2O3グラフォエピタキシャル成長
キーワード：グラフォエピタキシー、VLS、酸化インジウム
グラフォエピタキシーは，基板表面にサブミクロン周期で形成された立体形状と異方的な薄膜－基板界面エネルギーを利用して薄膜の面内配向を制御する技術である．我々は前回，この手法をIn2O3に適用し，逆ピラミッドテクスチャSiO2/Si基板上に，擬VLS法によってIn2O3のグラフォエピタキシャル成長を実現したことを報告した．今回は，基板面でストライプ－アレイ状に配置したV溝パターンSiO2/Si基板を用いることで，配向度の向上を確認したので報告する．