[15p-F204-1~19] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15p-F204-9] 界面顕微光応答法による6H-SiC基板上Ni/p-3C-SiCショットキー接触の2次元評価

〇塩島 謙次¹、三品 直樹¹、市川 尚澄²、加藤 正史² (1.福井大院工、2.名工大)

キーワード：3C-SiC、界面顕微光応答法、ショットキー接触

6H-SiC上に成長した3C-SiC層の不均一性をショットキー電極の形で界面顕微光応答法を用いて評価した。試料全体の表面は比較的平らな領域が約60％、凸凹な領域が約40％を占めた。平坦部では3C-SiC、凸凹部では6H-SiCが成長し,これらのポリタイプが混在している様子がパターンとして明瞭に観察され、本手法の有効性が示された。