[15p-P3-1~26] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[15p-P3-13] VO₂/TiN/Ti/Si積層構造デバイスにおけるマルチステップ発振

〇青戸 智寛¹、佐藤 賢太¹、モハメッドシュルズ ミヤ¹、沖村 邦雄¹ (1.東海大学工)

キーワード：二酸化バナジウム

二酸化バナジウム(VO₂)は, 比較的低い温度である68°C付近の温度で絶縁体-金属相転移(IMT)を示す. 近年, 私たちは多結晶的TiN/Ti導電層膜上のVO₂薄膜の多結晶成長について報告してきた. 本研究ではTiN(111)面が配向したTiN/Ti導電層膜を導入し, その上へのVO₂薄膜の配向成長に成功した. また, 作製したVO₂/TiN/Ti デバイスを用いて, 今までに報告されてきたVO₂による自励発振特性とは異なる特性が得られた. 講演ではVO₂の成長と自励発振現象について発表する.