[16a-302-1~11] 12.4 有機EL・トランジスタ

[16a-302-8] 有機無機ペロブスカイトトランジスタにおける接触抵抗の影響

〇松島 敏則^1,2,3、Hwang Sunbin¹、寺川 しのぶ¹、藤原 隆⁴、Sandanayaka Atula S. D.^1,3、Qin Chuanjiang^1,3、Adachi Chihaya^1,2,3 (1.九大OPERA、2.九大I2CNER、3.JST/ERATO、4.ISIT)

キーワード：有機無機ペロブスカイト、トランジスター、接触抵抗

ペロブスカイトトランジスタにおいて接触抵抗の影響が大きいために本来のトランジスタ特性を議論することが難しい。そこで本研究では長チャンネルのペロブスカイトトランジスタを作製した。チャンネル長を大きくするほど全抵抗に対する接触抵抗の寄与が小さくなるために、キャリア移動度は増加し、閾値電圧は減少することがわかった。チャンネル長がおよそ400 μm以上になると接触抵抗の寄与が無視できるほど小さくなるためにキャリア移動度および閾値電圧は一定となった。この領域から求めたペロブスカイトスピンコート膜の本来のホール移動度は最大で26 cm² V⁻¹ s⁻¹、電子移動度は4.6 cm² V⁻¹ s⁻¹となった。この値はこれままでで最も高い値である。