[16a-P4-1~29] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-P4-12] Al₂O₃超薄膜層を挿入したSiO₂/InAlN界面の特性―Al₂O₃膜厚依存性―

〇(M2)清野 惇¹、赤澤 正道¹ (1.北大量子集積エレ研)

キーワード：InAlN、界面準位密度

InAlNはGaNとの格子整合が可能であり、GaN系HEMTのバリア材料として有用である。InAlNのHEMTへの応用において、絶縁膜を導入しMOSゲートとすることでリーク電流の低減[1]、さらには400 GHzの遮断周波数が達成されている[2]。しかし、デバイス性能を高めるうえで重要な、絶縁体－半導体界面の制御方法は確立されていない。本報告では、SiO₂とInAlNの界面をAl₂O₃超薄膜挿入により制御する方法について、Al₂O₃膜厚依存性を調べた結果について報告する。