[16a-P4-1~29] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[16a-P4-11] Change of GaN Schottky barrier height by insertion of ultrathin Al₂O₃ layers

〇(M1)Taito Hasezaki¹, Masamiti Akazawa¹ (1.RCIQE,Hokkaido Univ.)

Keywords:Semiconductor, Gallium Nitride, schottky

Ge, Si, GaAs等の半導体と金属との界面に、極薄(1～3 nm)の絶縁膜を挿入することでショットキー障壁高を変化させることができるとの報告があり^1-4)、GaNにおいても同様の方法により障壁高を制御できればデバイス設計の自由度が広がる。また、金属－半導体接合形成の際に、半導体の自然酸化膜が超薄膜の状態で挿入される場合もあり、絶縁体超薄膜の挿入について検討することによりショットキー障壁の形成機構の理解のために有用な知見が得られる可能性がある。本発表においては、GaNと金属層との間に、Al₂O₃超薄膜を挿入することで、ショットキー障壁高が変化することについて報告する。