[16a-P4-1~29] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[16a-P4-12] Properties of SiO₂/InAlN interface with Al₂O₃ ultrathin interlayers
— Al₂O₃ thickness dependence —

〇(M2)atsushi seino¹, Masamichi Akazawa¹ (1.RCIQE,Hokkaido Univ.)

Keywords:InAlN, Interface state density

InAlNはGaNとの格子整合が可能であり、GaN系HEMTのバリア材料として有用である。InAlNのHEMTへの応用において、絶縁膜を導入しMOSゲートとすることでリーク電流の低減[1]、さらには400 GHzの遮断周波数が達成されている[2]。しかし、デバイス性能を高めるうえで重要な、絶縁体－半導体界面の制御方法は確立されていない。本報告では、SiO₂とInAlNの界面をAl₂O₃超薄膜挿入により制御する方法について、Al₂O₃膜厚依存性を調べた結果について報告する。