[16a-P4-1~29] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-P4-5] 界面顕微光応答法によるNi/n-GaNの界面反応の二次元評価

〇纐纈 悠貴¹、塩島 謙次¹ (1.福井大院工)

キーワード：n-GaN、界面顕微光応答法、ショットキー接触

我々は界面の電気的特性を評価できる界面顕微光応答法を開発し、Ni/n-GaNの熱処理による界面反応の二次元評価を行った。500 °Cの熱処理までは良い整流性が得られ、電極面内で均一なY像が得られた。600 °Cの熱処理後に整流性が乏しくなり、電極面内で光電流は検出されなかった。