[16p-412-1~20] 13.5 デバイス／集積化技術

[16p-412-11] トンネルFET応用を目指したSpin On GlassによるGe中へのn型不純物の導入

〇高口 遼太郎¹、松村 亮^2,3、加藤 巧²、竹中 充^1,2、高木 信一^1,2 (1.東大・工、2.東大院・工、3.学振特別研究員)

キーワード：ゲルマニウム、スピンオングラス、トンネルFET

高性能なp型Ge TFETを実現するためには、低欠陥で急峻な不純物分布をもつn+p接合が重要となる。Spin On Glass（SOG）を用いてGe中の3種のn型不純物（P、As、Sb）の接合特性を実験的に比較し、PがAs、Sbよりも急峻な不純物分布を持つことを明らかにし、~10nm/decの急峻さをもつ低欠陥のn+p接合を実現した。