[16p-502-1~10] 先進パワーデバイスのプロセス技術

[16p-502-3] 4H-SiC MOS界面特性の制御のための熱酸化プロセスの設計

〇喜多 浩之¹ (1.東大院工)

キーワード：4H-SiC、熱酸化

4H-SiC パワーMOSFET作製技術にとって良好なMOS界面の形成は最も重要な課題の１つであり，これを決めるのはSiC熱酸化プロセスである。本講演では，熱力学的な反応条件の考察に基づき選定したプロセスによる界面欠陥生成の抑制と，基板面方位や酸化種の選択（ドライ/ウェット）によって生じる界面近傍でのSiO₂の歪み構造の変化，の2つの視点でMOS界面特性と酸化条件の相関を議論する。