喜多浩之

→ Google ScholarでKoji Kitaを検索

発表者・著者、共著者

2017年3月16日(木) 13:45 〜 18:30 502 (502)

シンポジウム(口頭講演)
| シンポジウム
| 先進パワーデバイスのプロセス技術

[16p-502-1~10] 先進パワーデバイスのプロセス技術

14:45 〜 15:15

[16p-502-3] 4H-SiC MOS界面特性の制御のための熱酸化プロセスの設計

〇喜多浩之¹ (1.東大院工)