[16p-502-1~10] 先進パワーデバイスのプロセス技術

[16p-502-7] GaNへのイオン注入とデバイスへの応用

〇中村 徹^1,2、三島 友義¹、池田 清治¹、吉野 理貴¹ (1.法政大、2.名古屋大)

キーワード：窒化ガリウム、イオン注入、MISFET

自立GaN基板上に成長したp型Mg濃度エピタキシャル層にSiイオン注入を行ってソースおよびドレイン領域を作成したイオン注入GaN-MISFETを作製しその評価を行った。Mg濃度が1×10¹⁸ cm^-3のエピタキシャル層の場合、ゲート長2 µmのGaN-MISFETで、しきい値電圧が9Vの値が得られた。また、自立GaN基板上のエピタキシャル層へMgイオンを1×10¹⁴ cm^-2イオン注入し1230 ℃で熱処理を行うとp型層が選択的に形成でき、そのダイオード特性を確認した。