2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[16p-E206-1~17] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2017年3月16日(木) 13:45 〜 18:30 E206 (E206)

嵯峨 幸一郎(ソニー)、森 伸也(阪大)、蓮沼 隆(筑波大)

17:15 〜 17:30

[16p-E206-13] センサ・アレイのシミュレーションに向けた領域分割法の検討

松澤 一也1、田中 貴久1,2、内田 建1,2 (1.慶大TRDEC、2.慶大電子工)

キーワード:半導体、センサ、領域分割法

半導体センサにおいて、3次元デバイス・シミュレーションを用いると、検出したい分子の電荷と構造による感度を、予測することができる。複数種類の分子の電荷と構造が、電気的特性に与える影響を解析するには、複数種類のセンサをアレイ状に配置する必要がある。このようなアレイ形状を3次元シミュレーションで解析するには、多くのメモリを必要とする。本報告では、解析領域を分割して、実用的なメモリ領域で、計算する技術を示す。