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△ [16p-E206-14] 量子補正ボルツマン輸送方程式によるGeおよびSiナノワイヤpMOSFETの準バリスティック正孔輸送能力の解析
キーワード：量子補正ボルツマン輸送方程式、ナノワイヤ、ゲルマニウム
原子論的なモデルに基づき，量子補正ボルツマン輸送方程式を解くことで，GeおよびSiのナノワイヤpMOSFETにおける準バリスティック正孔輸送特性を解析した．GeナノワイヤpMOSFETはトンネルによるリーク電流は大きいものの，オフ電流を抑えるため閾値をシフトした条件下でもSiより大きなオン電流を示した．これは，Geの移動度の高さから期待される透過確率の高さでは無く，注入電流の大きさに由来することがわかった．